В данном контексте диффузия электронов = деградация заряда.
В полупроводниках "ток в классическом понимании" управляется эффектами в размере десятка атомов и с учетом разрешенных энергетических уровней для атомов кремния и легирующих примесей.
Если есть желание не разбираться в предмете, а придумывать собственные определения - в добрый путь (земля, прощай). Но уже без меня.
По ряду причин. И да, диффузия атомов - один из них. Но не основной, хотя свой вклад вносит.
В процессе перезаписи к структуре транзистора с плавающим затвором прикладываются напряжения, приводящие к электродиффузии атомов оксида кремния, а слой оксида и так тонок, менее 10 нм.
Даже в неизношенном слое оксида при перезаписи могут "застревать" электроны. При этом в слое оксида создается электрический заряд, препятствующий записи информации в ячейку. Чем больше циклов перезаписи пройдет, тем больший заряд накопится, и со временем запись в ячейку станет невозможной. По мере утоньшения слоя оксида электроны в нем "застревают" еще легче.
В флэш-памяти всегда есть резервные ячейки, поэтому гибель нескольких контроллер исправит, подменив их ячейками из резерва.
Даже при исчерпании резерва возможно дальнейшее использование устройства - но за счет уменьшения емкости. Сервисная программа (например, Transcend предоставляет такие программы для своих флэшек) перераспределяет оставшиеся ячейки. При этом контроллер часть оставшихся ячеек использует как резерв - за счет этого и уменьшается емкость.
